最新資料顯示，Intel 18A提供了高性能(HP)和高密度(HD)庫，具有全功能的技術設計功能和增強的設計易用性。

在PPA(性能、功耗、面積)比較中，Intel 18A在標準Arm核心架構的芯片上，1.1V電壓下實現了25%的速度提升和36%的功耗降低。此外，Intel 18A的面積利用率比Intel 3更高，這意味著該制程可以實現更好的面積效率和更高密度設計的潛力。

英特爾官網此前公布的資料顯示，Intel 18A采用了RibbonFET環(huán)繞柵極晶體管(GAA)技術，可實現電流的精確控制，同時還率先采用了業(yè)界首創(chuàng)的PowerVia背面供電技術。

英特爾還展示了電壓下降圖，描繪了高性能條件下節(jié)點的穩(wěn)定性，由于Intel 18A的PowerVia供電技術，該制程能夠提供更穩(wěn)定的電力傳輸。

比較顯示，通過背面供電技術，英特爾實現了更緊密的單元封裝，并提高了面積效率，這主要是因為相比正面布線釋放了更多空間。

從目前披露的信息來看，如果良率沒有問題，Intel 18A制程將成為臺積電2nm制程的有力競爭者。市場預計，Intel 18A將首先應用于Panther Lake SoC和Xeon的Clearwater Forest CPU，預計最早在2026年看到終端產品的出現。